电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流

    Izk---稳压管膝点电流

    IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流

    IZSM---稳压二极管浪涌电流

    IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流

    iF---正向总瞬时电流

    iR---反向总瞬时电流

    ir---反向恢复电流

    Iop---工作电流

    Is---稳流二极管稳定电流

    f---频率

    n---电容变化指数；电容比

    Q---优值（品质因素）

    δvz---稳压管电压漂移

    di/dt---通态电流临界上升率

    dv/dt---通态电压临界上升率

    PB---承受脉冲烧毁功率

    PFT（AV）---正向导通平均耗散功率

    PFTM---正向峰值耗散功率

    PFT---正向导通总瞬时耗散功率

    Pd---耗散功率

    PG---门极平均功率

    PGM---门极峰值功率

    PC---控制极平均功率或集电极耗散功率

    Pi---输入功率

    PK---最大开关功率

    PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率

    PMP---最大漏过脉冲功率

    PMS---最大承受脉冲功率

    Po---输出功率

    PR---反向浪涌功率

    Ptot---总耗散功率

    Pomax---最大输出功率

    Psc---连续输出功率

    PSM---不重复浪涌功率

    PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率

    RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻

    RBB---双基极晶体管的基极间电阻

    RE---射频电阻

    RL---负载电阻

    Rs(rs)----串联电阻

    Rth----热阻

    R(th)ja----结到环境的热阻

    Rz(ru)---动态电阻

    R(th)jc---结到壳的热阻

    rδ---衰减电阻

    r(th)---瞬态电阻

    Ta---环境温度

    Tc---壳温

    td---延迟时间

    tf---下降时间

    tfr---正向恢复时间

    tg---电路换向关断时间

    tgt---门极控制极开通时间

    Tj---结温

    Tjm---最高结温

    ton---开通时间

    toff---关断时间

    tr---上升时间

    trr---反向恢复时间

    ts---存储时间

    tstg---温度补偿二极管的贮成温度

    a---温度系数

    λp---发光峰值波长

    △λ---光谱半宽度

    η---单结晶体管分压比或效率

    VB---反向峰值击穿电压

    Vc---整流输入电压

    VB2B1---基极间电压

    VBE10---发射极与第一基极反向电压

    VEB---饱和压降

    VFM---最大正向压降（正向峰值电压）

    VF---正向压降（正向直流电压）

    △VF---正向压降差

    VDRM---断态重复峰值电压

    VGT---门极触发电压

    VGD---门极不触发电压

    VGFM---门极正向峰值电压

    VGRM---门极反向峰值电压

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