Tstg---贮存温度

    td----延迟时间

    tr---上升时间

    ts---存贮时间

    tf---下降时间

    ton---开通时间

    toff---关断时间

    VCB---集电极-基极（直流）电压

    VCE---集电极-发射极（直流）电压

    VBE---基极发射极（直流）电压

    VCBO---基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压

    VEBO---基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压

    VCEO---发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压

    VCER---发射极接地，基极与发射极间串接电阻R，集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压

    VCES---发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压

    VCEX---发射极接地，基极与发射极之间加规定的偏压，集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压

    Vp---穿通电压。

    VSB---二次击穿电压

    VBB---基极（直流）电源电压（外电路参数）

    Vcc---集电极（直流）电源电压（外电路参数）

    VEE---发射极（直流）电源电压（外电路参数）

    VCE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下的集电极-发射极间饱和压降

    VBE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下，基极-发射极饱和压降（前向压降）

    VAGC---正向自动增益控制电压

    Vn(p-p)---输入端等效噪声电压峰值

    Vn---噪声电压

    Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容

    Cjv---偏压结电容

    Co---零偏压电容

    Cjo---零偏压结电容

    Cjo/Cjn---结电容变化

    Cs---管壳电容或封装电容

    Ct---总电容

    CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比

    CTC---电容温度系数

    Cvn---标称电容

    IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流

    IF（AV）---正向平均电流

    IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。

    IH---恒定电流、维持电流。

    Ii---发光二极管起辉电流

    IFRM---正向重复峰值电流

    IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）

    Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流

    IF(ov)---正向过载电流

    IL---光电流或稳流二极管极限电流

    ID---暗电流

    IB2---单结晶体管中的基极调制电流

    IEM---发射极峰值电流

    IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流

    IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流

    ICM---最大输出平均电流

    IFMP---正向脉冲电流

    IP---峰点电流

    IV---谷点电流

    IGT---晶闸管控制极触发电流

    IGD---晶闸管控制极不触发电流

    IGFM---控制极正向峰值电流

    IR（AV）---反向平均电流

    IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

    IRM---反向峰值电流

    IRR---晶闸管反向重复平均电流

    IDR---晶闸管断态平均重复电流

    IRRM---反向重复峰值电流

    IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）

    Irp---反向恢复电流

    Iz---稳定电压

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